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Módulos de potencia IGBT
Módulos de potencia IGBT
Módulos de potencia IGBT

NIETZ, con sede en Shanghái, China, diseña y fabrica módulos IGBT/PIM/IPM/DISCRETO desde 2020, así como módulos personalizados para aplicaciones en el ámbito de inversores, máquinas de soldadura, calentamiento inductivo, UPS, vehículos eléctricos, energía solar/eólica y similares.

Características

El módulo IGBT VAHNDER emplea la tecnología de campo de trinchera (trench field stop), lo que reduce la caída de voltaje de encendido por saturación (Vce(sat)) y las pérdidas de apagado (Eoff) del dispositivo. El módulo viene en un empaque estándar y presenta parámetros eléctricos estables y una robusta confiabilidad en entornos adversos. Se utiliza ampliamente en electrónica automotriz, energía verde, industria, fuentes de alimentación, electrodomésticos, iluminación LED, seguridad, telecomunicaciones, electrónica de consumo y otros campos.

Características y ventajas:

  • Baja caída de voltaje de conducción por saturación (Vce(sat));

  • Baja pérdida de conmutación (Ets);

  • Alta tensión de ruptura (BVces);

  • Alta tolerancia a la corriente de cortocircuito (Icsc);

  • Repetibilidad y consistencia de parámetros eléctricos;

  • Alta confiabilidad.