Модуль IGBT VAHNDER использует технологию траншейного поля с остановкой, что снижает напряжение насыщения при включении (Vce(sat)) и потери при выключении (Eoff) устройства. Модуль упакован в стандартную оболочку и обладает стабильными электрическими параметрами и высокой надежностью в тяжелых условиях эксплуатации. Широко применяется в автомобильной электронике, экологичных энергоресурсах, промышленности, электроснабжении, бытовых приборах, светодиодном освещении, системе безопасности, телекоммуникациях, потребительской электронике и других сферах. 

Характеристики и преимущества:

• Низкое напряжение насыщения при проводимости (Vce(sat));

• Низкие коммутационные потери (Ets);

• Высокое пробойное напряжение (BVces);

• Высокая стойкость к короткому замыканию (Icsc);

• Повторяемость и согласованность электрических параметров;

• Высокая надежность.